8英寸铌酸锂晶圆
8英寸铌酸锂晶圆在光电子器件和集成电路领域有着广泛的应用。相较于较小尺寸的晶圆,8英寸铌酸锂晶圆具有明显的优势。首先,它拥有更大的面积,能够容纳更多的器件和集成电路,提高生产效率和产量。其次,尺寸更大的晶圆可以实现更高的器件密度,提升集成度和器件性能。此外,8英寸铌酸锂晶圆具有更好的一致性,减少了制造过程中的变异性,提高了产品的可靠性和一致性。
8英寸铌酸锂晶圆在光电子器件和集成电路领域有着广泛的应用。它由高纯度的铌酸锂晶体制成,具有特殊的晶体结构和优异的物理性能。
具体规格:
- 直径:8英寸(约为200mm)
- 厚度:常见的标准厚度为0.5mm至1mm,根据特定需求可以定制其他厚度
- 晶向:常见的主要晶向为128Y-cut, Z-cut和X-cut切割晶向,根据特定应用可以提供其他晶向的晶圆
尺寸优势: 8英寸铌酸锂晶圆相较于较小尺寸的晶圆具有多个尺寸优势:
- 更大的面积:与6英寸或4英寸晶圆相比,8英寸晶圆提供更大的表面积,可以容纳更多的器件和集成电路,从而提高生产效率和产量。
- 更高的密度:通过使用8英寸晶圆,可以在相同面积内实现更多的器件和元件,提高集成度和器件密度,进而增强设备性能。
- 更好的一致性:尺寸更大的晶圆在生产过程中具有更好的一致性,有助于减少制造过程中的变异性,提高产品的可靠性和一致性。
- 8英寸的LT和LN晶片具有与主流硅晶片相同的直径,易于键合。作为可处理高频段的高性能 "接合型SAW 滤波器 "材料,今后市场需求的增长值得期待。
直径 |
200±0.2mm |
主平台 |
57.5mm, Notch缺口 |
晶向 |
128Y-切, X-切, Z-切 |
厚度 |
0.5±0.025mm, 1.0±0.025mm |
表面处理 |
单抛,双抛 |
TTV |
< 5µm |
BOW |
± (20µm ~40um ) |
Warp |
<= 20µm ~ 50µm |
LTV (5mmx5mm) |
<1.5 um |
PLTV(<0.5um) |
≥98% (5mm*5mm) with 2mm edge excluded |
表面粗糙度 |
Ra<=5A |
Scratch & Dig (S/D) |
20/10, 40/20, 60/40 |
边缘处理 |
符合 SEMI M1.2@with GC800#. regular at C 型 |
产品详情
上海礴钛光电技术发展有限公司
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