键合硅片（Si-Si Solution）
硅-硅直接键合工艺可制造出低泄漏、低翘曲度和低缺陷密度的高质量晶片，层厚度公差仅为±0.5um。根据客户的要求，高、低掺杂水平之间的过渡可以是陡峭的，也可以是缓和的。
加工能力 processing capacity
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Parameter 参数 |
Specification Range 尺寸规格范围 |
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Wafer Diameter 直径 |
100, 125, 150 mm |
200 mm |
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Handle Layer Specifications 衬底层规格 |
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Handle Thickness 衬底层厚度 |
200–1100 µm |
450-1100 µm |
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Handle Thickness Tolerance 厚度公差 |
±5 µm |
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Stack Thickness 板叠厚度 |
280–1150 µm |
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Dopant Type 掺杂剂类型 |
N or P |
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Doping 掺杂 |
N type: Phos, Red Phos, Sb & As P type: Boron |
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Resistivity 电阻率 |
≤0.001 – ≥10000 Ω-cm |
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Growth Method 生长方式 |
CZ, MCZ or FZ |
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Crystal Orientation 晶体定向 |
<100>, <111> or <110> |
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Backside Finish 背面处理 |
Lapped/Etched or Polished |
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Device Layer Specifications 顶层规格 |
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Device Layer Thickness 顶层厚度 |
≥1.5 µm |
≥5 µm |
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Tolerance 公差 |
± 0.5 µm |
±0.8 µm |
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Dopant Type掺杂剂类型 |
N or P |
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Doping 掺杂 |
N type: Phos, Red Phos, Sb & As P type: Boron |
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Resistivity 电阻率 |
≤0.001 – ≥10000 Ω-cm |
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Growth Method 生长方式 |
CZ, MCZ or FZ |
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Crystal Orientation 晶体定向 |
<100>, <111> or <110> |
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Buried Layer Implant埋层植入 |
N type or P type |
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