厚膜深沟蚀刻（TSOI）

Parameter 参数

Specification Range  尺寸规格范围

Wafer Diameter 直径

100, 125, 150 mm

Handle Layer Specifications  衬底层规格

Handle Thickness 衬底层厚度

350–800 µm

Handle Thickness Tolerance 厚度公差

±5 µm

Stack Thickness 板叠厚度

350–1150 µm

Dopant Type 掺杂剂类型

N or P

Doping 掺杂

N type: Phos, Red Phos, Sb & As P type: Boron

Resistivity 电阻率

≤0.001 – ≥10000 Ω-cm

Growth Method 生长方式

CZ, MCZ or FZ

Crystal Orientation 晶体定向

<100>, <111> or <110>

Backside Finish 背面处理

Lapped/Etched or Polished

Buried Oxide Specifications  氧化物埋层规格

Thermally Oxidised Buried Oxide Thickness

热氧化埋层厚度

0.2 – 4.0 µm grown on Handle, Device or both wafers

Device Layer Specifications  顶层规格

Device Layer Thickness 顶层厚度

1.5 - 100 µm

Tolerance 公差

± 0.5 µm

Dopant Type掺杂剂类型

N or P

Doping 掺杂

N type: Phos, Red Phos, Sb & As P type: Boron

Resistivity 电阻率

≤0.001 – ≥10000 Ω-cm

Growth Method 生长方式

CZ, MCZ or FZ

Crystal Orientation 晶体定向

<100>, <111> or <110>

Buried Layer Implant埋层植入

N type or P type

Trench Mask Tone 槽腐蚀掩膜极性

Positive Resist

Trench Mask Type槽腐蚀掩膜类型

E-beam master for projection   aligner

Trench Line Width 沟线宽

> 2um

Trench Aspect Ratio 沟纵横比

15:1

Trench Sidewall Doping Type 沟槽侧壁掺杂型

Phosphorus

Trench   Refill   –   Oxide   (each  sidewall)

沟槽填充 — 氧化物

0.1 – 1.0 µm

Trench Refill –   Polysilicon

沟槽填充 — 多晶硅

To   Fill   (Doped   or   undoped  Polysilicon)

Planarisation 磨平

CMP

Final Field Oxide 最终氧化

Thermal oxide + TEOS up to   1um